Züchtung, Bearbeitung und Charakterisierung von Kristallen(GaAs, Si, SiC, Oxide, Si-Ge, GAPO 4 , Kristalline Schichten)
unter Einsatz zahlreicher unterschiedlicher Züchtungsmethoden (Czochralski, Floating Zone (FZ)-Verfahren,Kristallzüchtung aus Lösungen, Gasphasenzüchtung,CVT, CVD, PVD), Entwicklung von Baugruppen für Kristallzüchtungsanlagen, numerischen Modellierung der Kristallzüchtung (FEM, LBM)
Institut für KristallzüchtungMax-Born-Straße 2
12489 Berlin Treptow
Deutschland • Berlin • Treptow-Köpenick
Züchtungsmethoden Czochralski Floating-Zone-Verfahren Lösungszüchtung Gasphasenzüchtung CVT CVD LPE PVD GaAs